作者：严利人,周卫著
页数：239
出版社：科学出版社
出版日期：2017
ISBN：9787030501578
电子书格式：pdf/epub/txt
内容简介
严利人、周卫所著的《集成电路制造工艺技术体系（精）》从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象，对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深入的分析与揭示。其次是生产制造本身，详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用，讨论高端制造的组织、调度和管理，工艺流程的监控，工艺效果分析与诊断等内容。最后是支撑半导体制造的设备设施，该部分的论述比较简明，但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。本书适合于生产线上的高级工艺技师或管理专家，有助于其从系统和宏观的角度把握动态和复杂的制造过程。尽管涉及微电子制造的高端技术环节，但是本书的具体叙述并不艰深，多结合实例来进行，实用性较强。
作者简介
严利人，男，生于1968年2月，祖籍江苏。自1985年起接触半导体、集成电路领域，目前主要从事半导体工艺技术研究及教学工作，技术领域涉及半导体器件设计与优化、工艺研发、专用半导体设备研制等。在微电子领域发表学术论文多篇，出版译著、专著3本。 周卫，男，生于1958年9月，祖籍广西桂林。长期从事半导体工艺技术研究，技术领域涵盖半导体器件工艺研发、半导体材料与器件表征、半导体器件辐照效应、专用半导体设备研制等。
目录
第1章 IC制造的技术特点与发展趋势1．1 IC产业的发展历史与趋势1．2 IC制造技术的特点1．2．1 以复杂的物理-化学过程为主，技术门槛高1．2．2 生产效率高1．2．3 能够实现异常复杂的电路功能1．2．4 应用极为广泛1．2．5 微电子加工技术可延伸应用于相近的其他产业制造1．3 本书的线索和章节内容安排
第2章 半导体器件与工艺结构2．1 总论2．1．1 器件：基于能级2．1．2 器件：基于能带2．2 集成电路中的常规器件2． 2．1．PN结2．2．2 双极晶体管2．2．3 MOS晶体管2．3 工艺结构2．3．1 双极工艺2．3．2 NMOS2．3．3 CMOS2．3．4 BiCMOS2．4 其他器件及工艺结构2．4．1 微机电系统器件2．4．2 太阳能电池2．5 新材料与新器件2．5．1 FinFET2．5．2 无结器件2．5．3 纳米器件2．5．4 SiGe材料及SiGe HBT2．5．5 SiC与GaN2．6 微电子器件的表示2．6．1 结构单元2．6．2 单元链、截面和微结构体2．6．3 器件结构分析2．7 总结第3章 IC制造单项工艺技术3．1 半导体材料的加工处理3．1．1 外延3．1．2 掺杂扩散3．1．3 离子注入3．2 介质/绝缘材料的加工处理3．2．1 氧化3．2．2 LPCVD3．2．3 PECVD3．3 互连工艺3．3．1 Al金属化3．3．2 Cu金属化3．3．3 多晶硅3．3．4 接触3．4 位置与几何形状定义3．4．1 光刻3．4．2 刻蚀3．4．3 剥离3．5 辅助性工艺技术3．5．1 化学清洗3．5．2 热处理3．5．3 平坦化与CMP3．5．4 工艺质量监控3．6 新工艺技术举例3．6．1 ALD原子层淀积技术3．6．2 激光加工技术3．7 工艺库3．8 总结第4章 IC制造工艺原理4．1 工艺模块与流程4．1．1 LOCOS工艺模块4．1．2 用于铜互连的大马士革工艺4．1．3 CV测试短流程4．1．4 CMOS工艺4．1．5 BiCMOS工艺4．2 工艺结构加工制造排序4．2．1 单元加工的排序及规则4．2．2 CMOS结构工艺顺序4．2．3 工艺流程的全展开4．2．4 工艺流程优化4．3 工艺过程仿真4．3．1 仿真软件简介4．3．2 流程仿真实例4．4 正交实验设计4．5 总结第5章 IC制造工艺设备5．1 IC制造设备总论5．2 IC制造设备5．2．1 热处理5．2．2 LPCVD5．2．3 离子注入机5．2．4 等离子体加工设备5．2．5 光刻及辅助工艺装备5．2．6 电学测试5．3 总结第6章 IC制造的实施与优化6．1 IC制造的生产规划和作业调度6．1．1 IC设备的产能匹配6．1．2 IC制造单流程作业调度6．1．3 IC制造多流程作业调度6．1．4 生产过程的状态跟踪6．2 成品率控制技术6．2．1 统计控制6．2．2 动态工艺条件技术6．2．3 工艺诊断分析6．3 总结参考文献附录 多晶发射极NPN晶体管工艺仿真代码
第2章 半导体器件与工艺结构2．1 总论2．1．1 器件：基于能级2．1．2 器件：基于能带2．2 集成电路中的常规器件2． 2．1．PN结2．2．2 双极晶体管2．2．3 MOS晶体管2．3 工艺结构2．3．1 双极工艺2．3．2 NMOS2．3．3 CMOS2．3．4 BiCMOS2．4 其他器件及工艺结构2．4．1 微机电系统器件2．4．2 太阳能电池2．5 新材料与新器件2．5．1 FinFET2．5．2 无结器件2．5．3 纳米器件2．5．4 SiGe材料及SiGe HBT2．5．5 SiC与GaN2．6 微电子器件的表示2．6．1 结构单元2．6．2 单元链、截面和微结构体2．6．3 器件结构分析2．7 总结第3章 IC制造单项工艺技术3．1 半导体材料的加工处理3．1．1 外延3．1．2 掺杂扩散3．1．3 离子注入3．2 介质/绝缘材料的加工处理3．2．1 氧化3．2．2 LPCVD3．2．3 PECVD3．3 互连工艺3．3．1 Al金属化3．3．2 Cu金属化3．3．3 多晶硅3．3．4 接触3．4 位置与几何形状定义3．4．1 光刻3．4．2 刻蚀3．4．3 剥离3．5 辅助性工艺技术3．5．1 化学清洗3．5．2 热处理3．5．3 平坦化与CMP3．5．4 工艺质量监控3．6 新工艺技术举例3．6．1 ALD原子层淀积技术3．6．2 激光加工技术3．7 工艺库3．8 总结第4章 IC制造工艺原理4．1 工艺模块与流程4．1．1 LOCOS工艺模块4．1．2 用于铜互连的大马士革工艺4．1．3 CV测试短流程4．1．4 CMOS工艺4．1．5 BiCMOS工艺4．2 工艺结构加工制造排序4．2．1 单元加工的排序及规则4．2．2 CMOS结构工艺顺序4．2．3 工艺流程的全展开4．2．4 工艺流程优化4．3 工艺过程仿真4．3．1 仿真软件简介4．3．2 流程仿真实例4．4 正交实验设计4．5 总结第5章 IC制造工艺设备5．1 IC制造设备总论5．2 IC制造设备5．2．1 热处理5．2．2 LPCVD5．2．3 离子注入机5．2．4 等离子体加工设备5．2．5 光刻及辅助工艺装备5．2．6 电学测试5．3 总结第6章 IC制造的实施与优化6．1 IC制造的生产规划和作业调度6．1．1 IC设备的产能匹配6．1．2 IC制造单流程作业调度6．1．3 IC制造多流程作业调度6．1．4 生产过程的状态跟踪6．2 成品率控制技术6．2．1 统计控制6．2．2 动态工艺条件技术6．2．3 工艺诊断分析6．3 总结参考文献附录 多晶发射极NPN晶体管工艺仿真代码
