作者：陈伟
页数：294
出版社：科学出版社
出版日期：2024
ISBN：9787030786104
电子书格式：pdf/epub/txt
内容简介
当前，我国空间技术发展对优选纳米器件抗辐射加固技术提出了迫切需求，优选纳米器件引入了许多新的材料、工艺和结构，给纳米器件辐射效应机理、试验技术和加固技术研究带来了新的挑战。本书以优选的纳米工艺器件为研究载体，重点阐述纳米材料辐射损伤微观机制、纳米器件辐射效应新机理、纳米器件可靠性、纳米电路辐射效应及加固设计新方法、纳米器件和电路敏感区域分布和薄弱环节分析的重离子微束模拟试验方法等，为我国未来宇航用高端核心器件的抗辐射加固奠定理论和技术基础，推动我国抗辐射加固技术自主创新发展。
作者简介
主持国家自然科学基金重大项目，纳米器件辐射效应机理及模拟试验关键技术
目录
丛书序
前言
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 空间辐射环境与效应
1.2.1 空间辐射环境
1.2.2 空间辐射效应
1.3 纳米器件与工艺
1.3.1 新材料
1.3.2 新结构
1.3.3 新工艺
1.4 纳米工艺材料、器件和电路空间辐射效应研究现状
1.4.1 纳米工艺材料空间辐射效应
1.4.2 纳米器件空间辐射效应
1.4.3 纳米电路空间辐射效应
1.5 本章小结
参考文献
第2章 半导体材料的辐射效应
2.1 引言
2.2 荷能离子在固体中主要的能量损失方式
2.3 材料辐射损伤类型、形成机理及实验表征方法
2.3.1 材料辐射损伤类型及形成机理
2.3.2 材料微观辐射损伤实验表征方法
2.4 典型器件材料的辐射效应
2.4.1 硅材料辐射效应
2.4.2 宽禁带半导体材料辐射效应
2.4.3 低维材料辐射效应
2.4.4 高K材料辐射效应
2.5 粒子在材料中能量沉积和辐射损伤的计算机模拟方法
2.5.1 粒子在材料中能量沉积的蒙特卡罗模拟方法
2.5.2 粒子在材料中辐射损伤的分子动力学模拟方法
2.6 本章小结
参考文献
第3章 纳米器件总剂量效应与可靠性
3.1 引言
3.2 总剂量效应概述
3.3 纳米MOSFET器件总剂量效应
3.3.1 总剂量效应对纳米MOSFET器件电学参数的影响
3.3.2 纳米MOSFET器件总剂量效应关键影响区域
3.3.3 多变量对纳米MOSFET器件总剂量效应的影响
3.4 纳米MOSFET器件长期可靠性
3.4.1 经时击穿效应
3.4.2 热载流子注入效应
3.4.3 偏置温度不稳定效应
3.4.4 总剂量效应与电应力耦合作用
3.5 本章小结
参考文献
第4章 纳米器件单粒子效应
4.1 引言
4.2 单粒子效应概述
前言
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 空间辐射环境与效应
1.2.1 空间辐射环境
1.2.2 空间辐射效应
1.3 纳米器件与工艺
1.3.1 新材料
1.3.2 新结构
1.3.3 新工艺
1.4 纳米工艺材料、器件和电路空间辐射效应研究现状
1.4.1 纳米工艺材料空间辐射效应
1.4.2 纳米器件空间辐射效应
1.4.3 纳米电路空间辐射效应
1.5 本章小结
参考文献
第2章 半导体材料的辐射效应
2.1 引言
2.2 荷能离子在固体中主要的能量损失方式
2.3 材料辐射损伤类型、形成机理及实验表征方法
2.3.1 材料辐射损伤类型及形成机理
2.3.2 材料微观辐射损伤实验表征方法
2.4 典型器件材料的辐射效应
2.4.1 硅材料辐射效应
2.4.2 宽禁带半导体材料辐射效应
2.4.3 低维材料辐射效应
2.4.4 高K材料辐射效应
2.5 粒子在材料中能量沉积和辐射损伤的计算机模拟方法
2.5.1 粒子在材料中能量沉积的蒙特卡罗模拟方法
2.5.2 粒子在材料中辐射损伤的分子动力学模拟方法
2.6 本章小结
参考文献
第3章 纳米器件总剂量效应与可靠性
3.1 引言
3.2 总剂量效应概述
3.3 纳米MOSFET器件总剂量效应
3.3.1 总剂量效应对纳米MOSFET器件电学参数的影响
3.3.2 纳米MOSFET器件总剂量效应关键影响区域
3.3.3 多变量对纳米MOSFET器件总剂量效应的影响
3.4 纳米MOSFET器件长期可靠性
3.4.1 经时击穿效应
3.4.2 热载流子注入效应
3.4.3 偏置温度不稳定效应
3.4.4 总剂量效应与电应力耦合作用
3.5 本章小结
参考文献
第4章 纳米器件单粒子效应
4.1 引言
4.2 单粒子效应概述
