硅基高K氧化物锶硅界面缓冲层的研究

章 绪论

1.1 背景简介

1.1.1 Sr/Si体系研究的兴起

1.1.2 硅基氧化物晶态外延生长研究近况

1.1.3 Sr/Si表面的研究近况

1.1.4 SrTiO3/Si(100)和Sr/Si体系研究存在的问题

1.2 研究内容

1.3 主要实验方法和仪器

1.3.1 PLD实验方法

1.3.2 STM简介

1.3.3 仪器系统

第2章 Sr/Si(100)再构表面的制备

2.1 引言

2.2 Sr/Si(100)的获得

2.2.1 Si(100)衬底再构表面的获得

2.2.2 SrO/Si(100)的制备

2.2.3 SrO/Si(100)结构表征方法

2.3 Sr/Si(100)表面SrO晶态的形成

2.4 Sr/Si(100)高温退火情况

2.5 高温SrO/Si(100)表面随时问的变化

2.6 结论

第3章 Sr/Si(100)-2×3表面的几何结构及初始氧化研究

3.1 引言

3.2 实验及理论计算方法

3.2.1 实验方法

3.2.2 理论计算

3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的电子和几何结构

3.3.1 Sr/Si(100)-2×3表面STM特征

3.3.2 I-V和dI/dV特性

3.3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的几何结构与电子之间的相互关联

3.3.4 Sr/Si(100)-2×3电子态变温结果

3.3.5 Sr/Si(100)-2×6及2×3的极低偏压图像

3.4 Sr/Si(100)-2×3表面的初始氧化及其结构

3.4.1 Sr/Si(100)-2×3表面氧化及还原过程

3.4.2 氧的初始吸附和氧化位

3.5 Sr/Si(100)-2×3干净表面的原始缺陷及其电子态

3.6 结论

第4章 Sr/Si(100)-2×’1’再构表面及原子的动态移动

4.1 引言

4.2 Sr/Si(100)-2×’1’表面的获得

4.3 实验主要结果及讨论

4.3.1 Sr/Si(100)-2×’1’表面的结构

4.3.2 Sr/Si(100)-2×’1’表面室温下原子的迁移现象

4.4 结论

第5章 Sr/Si(111)-3×2表面结构及原子迁移

5.1 引言

5.2 Sr/Si(111)-3×2表面的获得

5.2.1 衬底Si(111)-7×7

5.2.2 Sr/Si(111)-3×2表面的获得

5.3 Sr/Si(111)-3×2表面形貌及原子链的整体迁移

5.3.1 Sr/Si(111)-3×2表面的典型形貌

5.3.2 Sr/Si(111)-3×2表面的电子结构

5.3.3 Sr/Si(111)-3×2表面的结构模型

5.3.4 Sr原子链的移动现象及机制

5.4 结论

第6章 TiSi2/Si(100)纳米岛的STM研究

6.1 引言

6.2 实验过程与结果分析

6.2.1 实验过程

6.2.2 结果分析

6.3 纳米岛产生的原因

6.4 结论

第7章 总结及展望

7.1 主要结论

7.1.13 种表面再构的分析比较

7.1.2 几种新现象的发现与解释

7.2 展望

参考文献