作者：曹传宝著
页数：325页
出版社：哈尔滨工业大学出版社
出版日期：2017
ISBN：9787560358024
电子书格式：pdf/epub/txt
内容简介
本著作是作者及其课题组在Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料方面多年研究工作的总结, 具有一定的系统性和前沿性, 部分内容为未发表的成果, 内容包括GaN, AlN, InN的纳米结构的制备及其性能的研究等。
本书特色
本书对于从事Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料研究的学者具有一定的参考作用。
目录
第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介
第2章 气相反应制备GaN纳米线的催化效应
第3章 GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理
第4章 碳热辅助法控制生长GaN低维结构
第5章 定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征
第6章 GaN纳米柱阵列的制备及表征
第7章 Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究
第8章 GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
第9章 GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能
第10章 GaN的理论模拟研究
第11章 AIN纳米结构的可控制备与表征
第12章 单晶InN纳米线的制备及表征
第13章 InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
参考文献
名词索引
