作者：王如志,严辉著
页数：334
出版社：科学出版社
出版日期：2017
ISBN：9787030510426
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内容简介
从金属场发射基本理论与思想着手，引入半导体场发射理论模型及其在纳米体系下的场发射理论模型的适用性问题。提出了半导体量子结构增强场发射基本原理与思想，在此基础上，介绍了以纳米多层（量子结构）铝镓氮（AlGaN）取向薄膜（极化诱导）作为薄膜冷阴极结构场电子发射增强功能层基本设计方法与物理模型。进一步地，介绍了单层、多层纳米半导体薄膜场发射设计与制备方法。接着从实验与理论两方面，系统介绍不同的量子结构（晶轴取向、膜厚膜层、组分搭配、掺杂浓度及表面处理等）半导体薄膜的场电子发射特性、场发射耦合增强物理机制及其能谱特性。最后，对纳米半导体场发射冷阴极器件的发展与应用进行了展望。
本书特色
场发射冷阴极在显示技术、微波能源及高频电子等方面具有十分重要的应用。本书基于作者多年来在纳米半导体场发射冷阴极方面的工作积累，对该领域的发展历程、理论基础、设计模型与制备性能进行了系统的介绍与讨论，期望为新型纳米半导体场发射冷阴极研发与器件应用提供指导与参考。本书主要包括以下内容：半导体场发射理论模型及其在纳米体系下的场发射理论模型的适用性问题；半导体量子结构增强场发射基本原理与思想；从实验与理论两方面系统探讨了不同的量子结构(晶轴取向、膜厚膜层、组分搭配、掺杂浓度及表面处理等)半导体薄膜的场电子发射特性、场发射耦合增强物理机制及其能谱特性。最后，对纳米半导体场发射冷阴极器件的发展与应用进行了展望。
