作者：戴显英,苗东铭,荆熠博 著
页数：160
出版社：西安电子科技大学出版社
出版日期：2024
ISBN：9787560674063
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内容简介
进入21世纪以来, 应变硅和SOI(Silicon-On-Insulator, 绝缘体上硅)被公认为是深亚微米和纳米工艺制程维持摩尔定律(Moore’s Law)和后摩尔定律的两大关键技术, 也被称为21世纪的硅集成电路技术。
本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。
本书主要面向硅基应变半导体理论与技术领域的研究者, 同时也可作为本科微电子科学与工程专业和研究生微电子学与固体电子学专业相关课程的教学参考书。
