套装-半导体制造技术 共3册

作者：温德通[美]杰西·鲁兹洛陈译陈铖颖张宏怡

出版日期：2024

ISBN：2200059000299

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内容简介

本书以实际应用为出发点，对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍，例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术，然后从工艺整合的角度，通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍，例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这些工艺技术应用于实际工艺流程中，通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。本书旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术，给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。

作者简介

温德通，IC高级设计工程师。毕业于西安电子科技大学微电子学院，曾供职于中芯国际和晶门科技公司，现就职于华为海思。先后负责工艺制程整合、集成电路工艺制程、器件、闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作。陈译，副教授，男，厦门理工学院，获得日本国立琉球大学电气电子工学专业博士学位，厦门市双百人才，于2010年4月进入日本三垦电气株式会社，从事功率半导体器件（IGBT、MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET）的研发与产业化，经历了先进功率半导体产业和技术发展的重要过程，参与或领导团队研发了30个品种以上的功率器件并实现产业化。其主持研制的IGBT、MOSFET芯片已卖出数百万片（其中IGBT芯片主要供货给格力电器），总产值超过20亿日元。截止目前，拥有授权和受理发明专利50余项，实用新型10余项，发表科研论文15篇。在面向工业和车规级的高端功率器件研发及量产方面经验丰富，尤其擅长高端IGBT、Split-gate MOSFET、SiC功率器件的研究。主要成果：1)发明新型结构沟槽肖特基二极管，综合性能比市面通用量产产品高出20%，并申报多项日本发明专利；2)设计完成基于第六代沟槽场终止型（Field Stop）IGBT，并实现批量生产；3)设计完成深槽分裂栅结构IGBT，综合性能领先于目前国际最高水平并实现工程流片成功；4)主持完成丰田汽车高可靠性车载应用功率MOSFET设计和制造；5)设计开发1200V级SiC MOSFET器件并实现工程流片成功。上述均属于国内开创性或者领先水平的成果，综合性能达到甚至领先于国际同类产品，具有巨大的技术和商业价值。

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