作者：刘恩科,朱秉升,罗晋生
页数：296
出版社：电子工业出版社
出版日期：2024
ISBN：9787121468681
电子书格式：pdf/epub/txt
内容简介
本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共9章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面与MIS结构；半导体异质结构。本书提供配套的教学大纲、电子课件PPT等教学资源。本书可作为高等学校集成电路科学与工程等相关专业半导体物理等相关课程的教材，也可供相关专业的科技人员参考。
作者简介
刘恩科，西安交通大学教授p博士生导师，一直从事教学及科研工作。对本科生讲授过普通物理学、原子物理学、固体物理学、半导体物理学、半导体物理与器件、半导体器件工艺、半导体物理与工艺实验。对硕士生讲授过太阳电池物理、半导体集成光学。对博士生讲授过半导体光电子学和光集成等课程。
目录
第1章 半导体中的电子状态1
1.1 半导体的晶格结构和结合性质1
1.1.1 金刚石型结构和共价键1
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键2
1.1.3 纤锌矿型结构3
1.2 半导体中的电子状态和能带4
1.2.1 原子的能级和晶体的能带4
1.2.2 半导体中电子的状态和能带6
1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带10
1.3 半导体中电子的运动―――有效质量11
1.3.1 半导体中E（k）与k的关系［3］ 11
1.3.2 半导体中电子的平均速度12
1.3.3 半导体中电子的加速度12
1.3.4 有效质量的意义13
1.4 本征半导体的导电机构―――空穴［3］ 14
1.5 回旋共振［4］ 16
1.5.1 k空间等能面16
1.5.2 回旋共振描述18
1.6 硅和锗的能带结构19
1.6.1 硅和锗的导带结构19
1.6.2 硅和锗的价带结构22
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构［7］ 24
1.7.1 锑化铟的能带结构24
1.7.2 砷化镓的能带结构［8］ 25
1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构25
1.7.4 混合晶体的能带结构25
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构26
1.8.1 二元化合物的能带结构26
1.8.2 混合晶体的能带结构27
1.9 Ｓｉ1－xＧｅx合金的能带27
1.10 宽禁带半导体材料29
1.10.1 ＧａＮ、ＡｌＮ的晶格结构和能带［18］ 30
1.10.2 ＳｉＣ的晶格结构和能带32
习题35
参考资料35 __________
第2章 半导体中杂质和缺陷能级37
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级37
2.1.1 替位式杂质和间隙式杂质37
2.1.2 施主杂质、施主能级38
2.1.3 受主杂质、受主能级39
2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算［2，3］ 41
2.1.5 杂质的补偿作用41
2.1.6 深能级杂质42
2.
1.1 半导体的晶格结构和结合性质1
1.1.1 金刚石型结构和共价键1
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键2
1.1.3 纤锌矿型结构3
1.2 半导体中的电子状态和能带4
1.2.1 原子的能级和晶体的能带4
1.2.2 半导体中电子的状态和能带6
1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带10
1.3 半导体中电子的运动―――有效质量11
1.3.1 半导体中E（k）与k的关系［3］ 11
1.3.2 半导体中电子的平均速度12
1.3.3 半导体中电子的加速度12
1.3.4 有效质量的意义13
1.4 本征半导体的导电机构―――空穴［3］ 14
1.5 回旋共振［4］ 16
1.5.1 k空间等能面16
1.5.2 回旋共振描述18
1.6 硅和锗的能带结构19
1.6.1 硅和锗的导带结构19
1.6.2 硅和锗的价带结构22
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构［7］ 24
1.7.1 锑化铟的能带结构24
1.7.2 砷化镓的能带结构［8］ 25
1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构25
1.7.4 混合晶体的能带结构25
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构26
1.8.1 二元化合物的能带结构26
1.8.2 混合晶体的能带结构27
1.9 Ｓｉ1－xＧｅx合金的能带27
1.10 宽禁带半导体材料29
1.10.1 ＧａＮ、ＡｌＮ的晶格结构和能带［18］ 30
1.10.2 ＳｉＣ的晶格结构和能带32
习题35
参考资料35 __________
第2章 半导体中杂质和缺陷能级37
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级37
2.1.1 替位式杂质和间隙式杂质37
2.1.2 施主杂质、施主能级38
2.1.3 受主杂质、受主能级39
2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算［2，3］ 41
2.1.5 杂质的补偿作用41
2.1.6 深能级杂质42
2.
