氮化铝单晶材料生长与应用

第1章 氮化铝单晶材料的基本性质
1．1 氮化铝的应用背景与发展现状
1．2 氮化铝的基本物理性质
1．3 氮化铝的晶体结构性质
1．4 氮化铝的光学性质与能带结构

第2章 氮化铝单晶材料生长的物理基础
2．1 生长热力学
2．1．1 相图
2．1．2 表面能与晶体形态
2．2 生长动力学
2．2．1 过饱和度与过冷度
2．2．2 成核
2．2．3 表面动力学

第3章 氮化铝单晶材料的缺陷
3．1 点缺陷
3．1．1 本征点缺陷
3．1．2 非本征点缺陷
3．2 位错
3．2．1 位错的定义和分类
3．2．2 位错的形成
3．2．3 镜像力与位错的运动
3．2．4 位错的合并规律
3．2．5 位错攀移
3．3 层错与晶界

第4章 物理气相传输法制备氮化铝单晶
4．1 发展历史
4．2 物理气相传输设备
4．2．1 石墨加热炉
4．2．2 钨加热炉
4．3 生长机制
4．3．1 生长窗口与路径
4．3．2 N极性生长
4．3．3 热场优化
4．4 籽晶培养
4．4．1 选晶生长获得AlN籽晶
4．4．2 在SiC衬底上异质外延生长获得AlN籽晶
4．4．3 自发成核法制备自支撑AlN晶体
4．5 同质外延

第5章 氢化物气相外延法制备氮化铝单晶
5．1 发展历史
5．2 氢化物气相外延系统
5．3 预反应
5．3．1 化学反应
5．3．2 预反应影响
5．4 AlN外延膜位错密度的降低
5．4．1 两步法生长
5．4．2 侧向外延
……

第6章 金属有机物化学气相沉积法制备氮化铝单晶薄膜
第7章 氮化铝器件应用

参考文献