多相流旋转耦合场制备Si3N4颗粒雾化过程流场分析

第pan style=”font-family: 宋体;”>章绪论·1.pan style=”font-family: 宋体;”>研究背景1.2SigN：颗粒制备研究现状1.3黏结液雾化效果对SigN。颗粒质量的影响1.4雾化喷嘴内部流场和外部喷雾特分析1.5研究内容及意义第2章多相流旋转耦合场制备Si3N颗粒雾化过程数值模拟基础2.pan style=”font-family: 宋体;”>气液两相流模型2.2湍流模型2.3黏结液雾化过程数学模型…2.4黏结液雾化过程物理模型及相关参数设定2.5本章小结第3章喷嘴入口结构对多相流旋转耦合场制备Si3N颗粒雾化过程的影响3.pan style=”font-family: 宋体;”>喷嘴切向入口数目对黏结液雾化特的影响…3.2喷嘴切向入口倾斜角度对黏结液雾化特的影响3.3本章小结第4章喷嘴旋流室结构对多相流旋转耦合场制备Si3N：颗粒雾化过程的影响4.pan style=”font-family: 宋体;”>喷嘴旋流室高度对黏结液雾化特的影响4.2喷嘴旋流室内径对黏结液雾化特的影响4.3本章小结第5章喷嘴出口结构对多相流旋转耦合场制备Si3N颗粒雾化过程的影响5.pan style=”font-family: 宋体;”>喷嘴出口形状对黏结液雾化特的影响…5.2喷嘴出口内径对黏结液雾化特的影响…5.3本章小结第6章多相流旋转耦合场制备Si3N：颗粒雾化过程数值模拟实验验证6.pan style=”font-family: 宋体;”>实台6.2实验原料及制备方法6.3实验结果分析6.4本章小结第7章结论与展望7.pan style=”font-family: 宋体;”>结论7.2展望参考文献附录