作者：中国标准出版社
页数：514
出版社：中国计量出版社
ISBN：9787502653828
电子书格式：pdf/epub/txt
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内容简介
本汇编汇集了截至2024年4月底发布的有关国家标准，共44项。
本汇编收集的国家标准的属性已在目录上标明（GB或GB/T），年代号用四位数字表示。鉴于部分国家标准或行业标准是在国家标准清理整顿前出版的，现尚未修订，故正文部分仍保留原样；读者在使用这些标准时，其属性以目录上标明的为准（标准正文“引用标准”中标准的属性请读者注意查对）。
目录
GB/T 1551-2021 硅单品电阳率的测定 直排四探针法和直流两探针法
GB/T 1557-2018 硅品体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2018 硅多品气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2018 硅多品真空区熔基刚检验方法
GB/T 4061-2009 硅多品断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单品程尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2020 锗单品位错密度的测试方法
GB/T 5238-2019 锗单晶和储单晶片
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8750-2022 半导体封装用金基键合丝、带
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 第1部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 硫酸亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 硫酸钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 31469-2015 半导体材料切削液
GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
GB/T 37254-2018 高纯碳化硅 微量元素的测定
GB/T 39867-2021 正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
GB/T 42518-2023 锗酸铋（BGO）晶体 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
GB/T 1557-2018 硅品体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2018 硅多品气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2018 硅多品真空区熔基刚检验方法
GB/T 4061-2009 硅多品断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单品程尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2020 锗单品位错密度的测试方法
GB/T 5238-2019 锗单晶和储单晶片
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8750-2022 半导体封装用金基键合丝、带
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 第1部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 硫酸亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 硫酸钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 31469-2015 半导体材料切削液
GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
GB/T 37254-2018 高纯碳化硅 微量元素的测定
GB/T 39867-2021 正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
GB/T 42518-2023 锗酸铋（BGO）晶体 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
