作者：张进成[等]著
页数：329页
出版社：西安电子科技大学出版社
出版日期：2024
ISBN：9787560673851
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内容简介
本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料的测试表征技术进行了介绍, 并以氮化物材料为基础系统地介绍了目前广泛应用的氮化物光电与电子器件, 使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区别。全书共8章, 包括氮化物材料基本特性及外延生长技术、新型氮化物异质结构设计及制备、氮化物材料的测试表征技术、氮化物蓝光LED材料与器件、氮化物紫外和深紫外LED材料与器件、氮化镓基二极管、氮化镓基三极管。
目录
第1章 绪论
1.1 氮化物材料及器件背景
1.2 GaN的研究进展
参考文献
第2章 氮化物材料基本特性及外延生长技术
2.1 氮化物材料的结构
2.1.1 氮化物材料及其异质结
2.1.2 氮化物材料晶体结构
2.1.3 氮化物材料能带结构
2.2 氮化镓材料的制备
2.2.1 氮化镓材料的制备方法
2.2.2 MOCVD系统
2.2.3 MOCVD生长氮化镓薄膜的基本原理
2.2.4 MOCVD氮化物外延常用衬底
2.3 高质量GaN缓冲层外延生长技术
2.3.1 AlN成核层生长技术
2.3.2 阶变Ⅴ／Ⅲ比技术
2.3.3 杂质扩散抑制技术
2.4 高性能AlGaN／GaN异质结外延
2.4.1 超薄AlN界面插入层技术
2.4.2 原位生长AlN介质钝化层技术
参考文献
第3章 新型氮化物异质结的设计及制备
3.1 AlGaN/GaN背势垒异质结
3.1.1 双异质结的优势及 研究进展
3.1.2 高性能双异质结的生长方法
3.2 GaN双沟道及多沟道异质结
3.2.1 双沟道异质结的特性分析
3.2.2 多沟道异质结的特性分析
3.3 AIGaN和InGaN沟道异质结
3.3.1 AIGaN沟道异质结
3.3.2 InGaN沟道异质结
3.4 强极化异质结
3.4.1 高Al组分AlGaN/GaN异质结
3.4.2 四元合金InAlGaN势垒层
3.5 热增强的超薄GaN沟道异质结
3.5.1 基于A1N缓冲层制备异质结的优势
3.5.2 基于AlN缓冲层的GaN成膜模型
3.5.3 热增强AlN缓冲层异质结的特性
参考文献
第4章 氮化物材料的测试表征技术
4.1 霍尔效应测试
4.1.1 霍尔效应和霍尔系数
4.1.2 半导体电阻率的测试方法
4.1.3 霍尔效应测试的副效应
4.2 拉曼散射测试
4.2.1 拉曼散射的基础理论
4.2.2 纤锌矿结构GaN的拉曼散射
4.2.3 纤锌矿结构GaN的LOPP耦合模
4.2.4 拉曼散射的选择定则
1.1 氮化物材料及器件背景
1.2 GaN的研究进展
参考文献
第2章 氮化物材料基本特性及外延生长技术
2.1 氮化物材料的结构
2.1.1 氮化物材料及其异质结
2.1.2 氮化物材料晶体结构
2.1.3 氮化物材料能带结构
2.2 氮化镓材料的制备
2.2.1 氮化镓材料的制备方法
2.2.2 MOCVD系统
2.2.3 MOCVD生长氮化镓薄膜的基本原理
2.2.4 MOCVD氮化物外延常用衬底
2.3 高质量GaN缓冲层外延生长技术
2.3.1 AlN成核层生长技术
2.3.2 阶变Ⅴ／Ⅲ比技术
2.3.3 杂质扩散抑制技术
2.4 高性能AlGaN／GaN异质结外延
2.4.1 超薄AlN界面插入层技术
2.4.2 原位生长AlN介质钝化层技术
参考文献
第3章 新型氮化物异质结的设计及制备
3.1 AlGaN/GaN背势垒异质结
3.1.1 双异质结的优势及 研究进展
3.1.2 高性能双异质结的生长方法
3.2 GaN双沟道及多沟道异质结
3.2.1 双沟道异质结的特性分析
3.2.2 多沟道异质结的特性分析
3.3 AIGaN和InGaN沟道异质结
3.3.1 AIGaN沟道异质结
3.3.2 InGaN沟道异质结
3.4 强极化异质结
3.4.1 高Al组分AlGaN/GaN异质结
3.4.2 四元合金InAlGaN势垒层
3.5 热增强的超薄GaN沟道异质结
3.5.1 基于A1N缓冲层制备异质结的优势
3.5.2 基于AlN缓冲层的GaN成膜模型
3.5.3 热增强AlN缓冲层异质结的特性
参考文献
第4章 氮化物材料的测试表征技术
4.1 霍尔效应测试
4.1.1 霍尔效应和霍尔系数
4.1.2 半导体电阻率的测试方法
4.1.3 霍尔效应测试的副效应
4.2 拉曼散射测试
4.2.1 拉曼散射的基础理论
4.2.2 纤锌矿结构GaN的拉曼散射
4.2.3 纤锌矿结构GaN的LOPP耦合模
4.2.4 拉曼散射的选择定则
